סמסונג עובדת על HBM5 עם אפשרות להשתמש אפילו באבני 2‑ננומטרים

צעדים חדשים של NVIDIA וסמסונג בפיתוח זיכרון HBM

במאי זה הוכחה אמון הנהלת NVIDIA באיכות הזיכרון HBM4 מ-Samsung Electronics: המייסד של NVIDIA, ג'נסן חואנג (Jensen Huang), ציין אישית על לוח הדגמה עם שבבים HBM4 שהזיכרון "הפלא". במקביל סמסונג כבר עובדת על הגרסאות הבאות – HBM5 ו-HBM5E.

מה שדיווחה Business Korea
* HBM5 מ-Samsung

* הלב (שכבת הזיכרון) יופק בטכנולוגיית 2 נמ.

* שבבי DRAM בשכבה משתמשים בגeneration השישי של תהליך 10 נמ, שמוגדר כ-"1c".

* HBM5E מ-Samsung

* הבסיס – אותו שבב 2 נמ.

* חלק ה-DRAM יופק באמצעות גרסה עדכנית יותר של תהליך 10 נמ – "1d".

כך סמסונג משלבת את הטכנולוגיות המתקדמות והמאומתות כדי לצמצם סיכונים בייצור HBM.

שיתוף פעולה עם NVIDIA
* Groq 3 – מעבדים מתומצתים שעתה יופקו על ידי סמסונג במפעלים חוזיים בטכנולוגיית 4 נמ.

* מנהל מחלקת סמסונג, חאן ג'ין מנ (Han Jin-man), הדגיש: "4 נמ לא ניתן להחשיב כמתון".

* NVIDIA שיתפה כבר זמן רב עם סמסונג על שבבי LPU (2023) ובחרה דווקא בתהליך 4 נמ שלה ל-Groq 3.

* ייצור במוני מתוכנן לסוף הרבע השלישי/תחילת הרבע הרביעי של השנה הנוכחית, והביקוש החזק צפוי להתחיל בשנה הבאה.

אירוע GTC 2026
במסגרת כנס GTC 2026 בקליפורניה הודיעה NVIDIA על שיתוף פעולה והציגה שבבים HBM4, HBM5, Groq 3.

* חואנג חתום את האוטוגרף בלוח עם Groq 3, קרא אותם "שירותים מהירים במיוחד".

* באותו תערוכה נוכחו נציגי סמסונג ו-SK hynix – מאשרים את חשיבות הספקים הקוריאנים ל-NVIDIA.

מסקנות מרכזיות

1. שותף אמין – סמסונג מפתחת בהצלחה HBM4, ועכשיו גם HBM5/EBM5 תוך שימוש בטכנולוגיית 2 נמ לשבבים הבסיסיים ותהליכי 10 נמ מאומתים לחלק ה-DRAM.

2. פריצת דרך טכנולוגית – המעבר ל-2 נמ משפר ביצועים ומקטין סיכון לתקלות בתהליך ייצור.

3. אחריות תאימות – שיתוף הפעולה הקיים עם NVIDIA (Groq) מאשר שסמסונג יכולה לספק שבבים לפי הסטנדרטים הנדרשים.

כך NVIDIA רואה בסמסונג שותף אמין להמשך פיתוח זיכרון ביצועים גבוהים ומעבדים מתומצתים.