סמסונג מפסיקה את ייצור ה-2‑D NAND ומעבירה את המפעלים לייצור HBM4

סמסונג מפסיקה את ייצור זיכרוני NAND דו-ממדיים ומפנה את המפעלים ל-HBM4

במהלך השנה הזו סמסונג הכריזה על הפסקה מלאה בייצור זיכרון Flash 2‑D NAND. השורות שנותרו יעברו לכיוון ייצור זיכרון HBM4, שמקבל ביקוש עצום עקב הצמיחה המהירה של הבינה המלאכותית.

מה קורה במפעל חוואסון
לפי *The Elec Korea* סמסונג מתכננת לסגור את ייצור 2‑D NAND במתקנה שלה בחוואסון. במקום להסיר את השורה לחלוטין, החברה תמיר אותה לייצור DRAM – תהליך של הדבקת שבילים המחברים את תא הזיכרון בתוך המיקרציפ.

- עוצמת השורה 12: בין 80 000 ל‑100 000 לוחות בגודל 12 אינץ' בחודש.

- הלוחות הללו היו בשימוש בעיקר עבור זיכרוני NAND דו‑ממדיים, אך הטכנולוגיה כבר מיושנת מאז הופעת NAND תלת‑ממדי.

כעת על השורה הזו יופק DRAM דור ה־6 (10 נומטר), המשמש ב-HBM4. סמסונג מעריכה שהסך הכולל של קיבולת ייצור DRAM – כולל שורות 3 ו‑4 בפהונטקה – יגיע לכ-200 000 לוחות עד סוף החצי השני של השנה.

מדוע NAND דו‑ממדי נעלם
זיכרון NAND דו‑ממדי הופיע לראשונה בסוף שנות ה־90. בשנים האחרונות היצרנים התנתקו ממנו בהדרגה, עברו ל-NAND תלת‑ממדי מתקדם יותר. טכנולוגיית NAND תלת‑ממדי מציעה יתרונות משמעותיים: קיבולת גבוהה יותר, אמינות טובה יותר ומהירות גבוהה בהרבה.

לפי תוכנית סמסונג, הפסקת הייצור הסופית של NAND דו‑ממדי מתוכננת למרץ. לאחר מכן המפעל יעבור במלואו לייצור פתרונות מודרניים יותר – כולל HBM4, הדרושים במערכות חישוב גבוה וביישומי בינה מלאכותית.