שיאומי מתכננת לייצר מעבד חדש מדי שנה ותציג בקרוב טלפון עם שבב שלה, מערכת הפעלה ובינה מלאכותית.

Xiaomi מתכננת עדכונים שנתיים של מעבד ה-XRing שלה

במהלך הופעה האחרונה במהלך Mobile World Congress בסבילון, נשיא Xiaomi לו ווייבין (Lu Weibing) הודיע על אסטרטגיה חדשה: כל שנה תופק שבב חדש מפתחת החברה – המעבד XRing, המיועד לסמארטפונים.

> נקודות עיקריות

> • המוצר הראשון המשולב בשנת 2024 – סמארטפון שבו משולבים שבב ה-XRing, מערכת ההפעלה HyperOS וסוכן הבינה המלאכותית Xiao AI.

> • Xiaomi מתכוונת לקדם את התצורה הזו גם בשוק הפנימי הסיני וגם מחוץ לו.

למה זה חשוב
- מעבד SoC משותף – רק Apple (סדרת A) ו-Samsung (Exynos) מייצרות שבבים משל עצמן. רוב המותגים משתמשים בפלטפורמות Qualcomm או MediaTek.

- בשנה שעברה Xiaomi שחררה את XRing O1, מבוססת על תהליך 3‑נומטרי. זה כבר צעד ראשון לשליטה מלאה בתשתית החומרה.

תכנית העדכונים
לוא הדגיש: «זה השבב הראשון שלנו. בהמשך נפרסם עדכונים שנתיים».

התפתחות SoC שנתית היא תהליך מורכב, אך החברה מוכנה לכך. השבב יופיע במכשיר שיוצא לסין השנה ולאחר מכן יופיע בשווקים הבינלאומיים.

> שינוי לוח הזמנים

> בספטמבר של השנה שעברה, סמנכ"ל Xiaomi סייו פיי (Xu Fei) ציין כי לא ניתן להבטיח שחרור שנתי של שבב. האסטרטגיה החדשה מעידה על חידוש מועדי הפיתוח.

סוכן בינה מלאכותית והרחבה גלובלית
- Xiao AI כבר פעיל בסמארטפונים סיניים מבוססי מודלים משלהם.

- לוא הודיע כי מתוכנן השקת סוכן הבינה המלאכותית הבינלאומי במקביל להשקת רכבים של Xiaomi בחו"ל.

שוק אירופה המתוכנן – שנת 2027. «כשרכבים שלנו ייצאו לשווקים בינלאומיים, תראו שהסוכנים שלנו יופיעו יחד איתם», הוסיף לוא.

- מצפים לשיתוף פעולה עם Google לשימוש במודלים Gemini גם בסין וגם בחו"ל – גישה דומה לאסטרטגיה של Samsung, שמקפידה לשלב את Gemini במכשירים שלה.

השקעות בשבבים משותפים
מנכ"ל Xiaomi ליי צ'יונ (Lei Jun) הכריז בעבר על השקעה של לפחות 50 מיליארד יואן ($6.9 מיליארד) בפיתוח שבבים לעשר השנים הבאות. זה מאשר את האסטרטגיה ארוכת הטווח המעבר לעצמאות מלאה בייצור החומרה.

לסיכום: Xiaomi מכינה עדכונים שנתיים של מעבד ה-XRing שלה, מתכננת לשלב אותו עם HyperOS ו-Xiao AI במכשיר אחד, וכן להרחיב את נוכחות סוכן הבינה המלאכותית בשוק הבינלאומי יחד עם השקת רכבים חשמליים. זה צעד לכיוון אינטגרציה אנכית גדולה יותר והפחתת התלות בספקים חיצוניים של SoC