אינטל בשיתוף עם סופטבנק מתכננת להשיק החלפת זיכרון HBM כבר בשנת 2029

סופטבנק ואינטל מתכננים להשיק את זיכרון Z‑Angle (ZAM) בשנת 2029

החברות האחראיות: סופטבנק – דרך חברת הבת Saimemory, שתטפל בפיתוח והמכירות. אינטל תספק את הטכנולוגיה לייצור ולאריזה. שחקנים נוספים: פוג'יטסו מיפן משתתפת בפרויקט.

למה נדרש Z‑Angle Memory
* בעיות בזיכרון HBM הקיים:
- יקר מאוד וצריכת אנרגיה גבוהה.
- עם הגדלת נפחי הייצור, זיכרון DRAM קלאסי סובל מחוסר משאבים.
* המטרה של Z‑AM היא להציע חלופה חסכונית יותר ואנרגטית, תוך שמירה על צפיפות נתונים גבוהה.

מאפיינים טכנולוגיים
| פרמטר | תיאור |
|---|---|
| מבנה | ערימה ממספר שכבות שבבים (דומה ל-HBM), אך עם שיטות אריזה וארכיטקטורה מתקדמות יותר. |
| צפיפות | קיבולת יחידה של הערימה גבוהה פי 2‑3 מה-HBM. |
| צריכת אנרגיה | מצטמצמת כ-50% לעומת HBM. |
| עלות ייצור | צפויה לשמר את רמת המחיר הנוכחית או להוריד עד ל-40%. |

טכנולוגיית האריזה
* אינטל מציעה טכניקת NGDB (Next‑Generation Die Bonding), שמגברת את יעילות האנרגיה של ZAM לעומת HBM.
* בפרוטוטיפים כבר הושגו שמונה שכבות DRAM מעל הליבה הבסיסית.

לוח זמנים להשקה
1. פרוטוטיפ ביניים – הדגמה עד סוף מרץ 2028.
2. ייצור במасה – התחלה תוך 12 חודשים מהצגת הפרוטוטיפים, כלומר בסביבות אמצע 2029.

כך סופטבנק ואינטל מתכוונות להרחיב במהירות את הייצור של Z‑Angle Memory, לספק אפשרות זיכרון נגישה ויעילה יותר למערכות עתידיות בעלות ביצועים גבוהים.