סמסונג הציגה ב‑Computex 2026 את אבטיפוס זיכרון HBM5 Stack

סמסונג אלקטרוניקס – הצעדים הראשונים ל-HBM5

לאחרונה סמסונג אלקטרוניקס הכריזה על תחילת אספקת דגימות זיכרון HBM4E, אך באותו זמן היא כבר פועלת באופן פעיל בפיתוח הדור הבא – HBM5. בתערוכת Computex 2025 החברה הציגה רק תכנית גדולה של שבב HBM5 כדי לתת תמונה כללית על מבנהו. כבר עכשיו ניתן לראות שהטכנולוגיה תהיה מורכבת ותדרישה.

פרטי פיתוח עיקריים
המשתנה מה עושה סמסונג בסיסי קריסטל ייצור עצמאי בתהליך 2‑נמ תכולת שכבות DRAM מ-12 עד 20 (טכנולוגיית כיתה 1c) טרנסיסטורים GAA מתוכננים לשימוש בשבבים 2‑נמ תהליך מתחת ל-1 נמ החברה בטוחה שתוכל לשלוט בו בעתיד
הסגן מנהל הטכני של סמסונג אלקטרוניקס, סון ג'אהיוק (Song Jaehyuk), אישר את השתתפות החברה בפיתוח והטמעת טכנולוגיות אלו. קיום יחידה חוזית מאפשר לעמוד בדרישות הלקוחות המחמירים ביותר, כולל Nvidia.

השוואה ל-HBM4E
* HBM4E משתמש בקריסטל בסיסי 4‑נמ ותהליך 1c לייצור שבבי DRAM שמרכיבים את שכבת הזיכרון.

* HBM5 יציע:

* קריסטל דק יותר (2 נמ) ושכבות גמישות יותר (12–20).

* Heat Path Block (HPB) – צינור סילוק חום לניתוב יעיל של החום.

* מהירות החלפה נתונים מוגברת בזכות ארכיטקטורה משופרת.

טכנולוגיית HPB כבר נבדקה בדוגמה של HBM4E, וסמסונג מתכננת להשתמש בשיטות מתקדמות סילוק חום לשיפור יציבות הזיכרון. ייצור נפוץ ל-HBM5 מתוכנן מ-2028, ובמסגרת HBM5E קריסטלי DRAM ייוצרו בתהליך 1d מתקדם יותר.

מה עושים המתחרים
* SK hynix משתמשת בטכנולוגיית סילוק חום דומה – iHBM. זה אומר שהפתרון של סמסונג אינו ייחודי בתחום סילוק החום.

* SK hynix גם מיישמת שבבים 2‑נמ כחלק מ-HBM5 ומתכננת ייצור נפוץ תוך שימוש ב-iHBM.

סיכום
סמסונג אלקטרוניקס כבר פועלת על HBM5 מבוסס תהליך 2‑נמ, עם עד 20 שכבות DRAM ופתרון סילוק חום חדשני HPB. הייצור הנפוץ מתוכנן ל-2028, והמתחרים כגון SK hynix משתמשים בפתרונות דומים (iHBM). באופן כללי, סמסונג מציגה ביטחון בשליטה בטכנולוגיות מתחת ל-1 נמ ורצון לעמוד בדרישות הלקוחות הגדולים ביותר.