ה־TSMC דחית את השקת ה־High‑NA EUV, הכריזה על תהליך A13 ושיתפה תוכניות לסוף העשור

תקציר קצר של חדשות על תוכניות TSMC

הזמן תהליך טכנולוגי מאפיינים עיקריים שוק יעד
2028 A141,4‑nm (בערך) סמארטפונים ומכשירים לקוח 2029 A13 – «כווץ» מ-A14 הגדלת צפיפות ~6 % ללא שינוי בכלים של תכנון סמארטפונים 2029 A12 – גרסה דקה יותר מעבר לטרנזיסטורים GAA‑שני דור + אספקת מתח מאחור משטח הסיליקון AI‑אקסלרטורים, שבבים בעלי ביצועים גבוהים 2027 A16 הדור הראשון של GAA + אספקת מתח מאחור חישובים בעל ביצועים גבוהים וקטע AI

מה חדש בתוכניות TSMC
1. ביטול High‑NA EUV עד שנת 2029

- החברה הודיעה כי לא תשתמש בציוד ליטוגרפיה אולטרא-אולטרה-סופית עם Aperture מספר גבוהה (High‑NA EUV) בשנים הקרובות. החלטה זו מציבה את TSMC במצב בטוח יותר לעומת מתחרים כמו Samsung ו-Intel.

2. פיתוח הדרגתי של תהליכים טכנולוגיים

- בשנת 2028 מתוכנן השקת A14, ובשנת 2029 – שתי גרסאות נגזרות: A13 (הקטנה באמצעות כיווץ אופטי) ו-A12 (המשך הקטנה).
- הטכנולוגיות N2, N2P, N2U, A14 ו-A13 מיועדות לשבבים ניידים, שם חשובה עלות הייצור.
- תהליכי A16 ו-A12 מתוכננים לחישובים בעלי ביצועים גבוהים ואקסלרטורים AI, שבהם הביצועים הם העדיפות.

3. טרנזיסטורים GAA דור שני

- מתוכנן יישום מבנה שלטרנזיסטורים עם שער מעגלי (GAA) ב-A14, ולאחר מכן ב-A13 ו-A12. אספקת מתח מאחור משטח הסיליקון תשתמש רק ב-A12 וב-A16.

4. תהליך מיוחד N2U

- בשנה השלישית מחיי המחזור של משפחת N2 TSMC הציגה את N2U, שיגביר מהירות 3–4 % או יקטין צריכת אנרגיה 8–10 %, תוך הגדלת צפיפות הטרנזיסטורים ב-2–3 %.
- תאימות עם הכלים הקיימים תאפשר למפתחים לעבור מ-N2 ל-N2U ללא עלויות משמעותיות. השקה מתוכננת בשנת 2028.

5. מועדים ועדכונים

- A16 יושג בשנת 2027 (מאוחר יותר מהתכנון המקורי).
- מוצרים סדרתיים בטכנולוגיית A16 צפויים לסוף השנה הנוכחית, אך הייצור המוני יתחיל מאוחר יותר.

סיכום
TSMC מציגה אסטרטגיה של פיתוח הדרגתי וממוקד תהליכים טכנולוגיים: משבבים ניידים לחישובים בעלי ביצועים גבוהים. החברה מודעת לביטול High‑NA EUV בשנים הקרובות, מתמקדת בטכנולוגיות חסכוניות וגמישות שמאפשרות התאמה מהירה לדרישות שווקים שונים.